光刻设备详述
这类光刻技术能达到亚微米级的高分辨率，掩模图形与衬底上的曝光图形在尺寸上近乎一致，基本实现了1:1的比例复制。但是最小分辨率会受到上图公式的约束。并且掩模在曝光过程中易受污染，成为消耗品，但是由于这类光刻设备构造简单，维护成本较低，至今仍在小尺寸衬底的批量生产
光刻
泛林公布干式光刻胶进展
泛林集团 Lam Research 美国加州当地时间本月 14 日宣布，其干式光刻胶技术成功通过 imec 认证，可直接在逻辑半导体后道工艺（IT之家注：BEOL，互联层制作）中实现 28nm 间距的直接图案化，能满足 2nm 及以下先进制程的需求。
碳纳米管如何变革EUV光刻领域
在人工智能和高度互联技术普及的推动下，半导体行业规模预计在未来十年内将翻倍。然而，尽管微型芯片作为支撑从智能手机到救生医疗设备等一切产品的微小动力源，正面临着前所未有的需求增长，但它们也面临着迫在眉睫的技术瓶颈。
EUV光刻，新的对手
最近，美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）宣布开发出了一种名称为大孔径铥 （BAT） 激光器，这种激光器比现在行业内的标准CO2激光器将EUV光源提高约10倍。
关于立体光刻3D打印蜂窝铝硅土陶瓷的力学性能及断裂机制的研究
铝硅土（Mullite）陶瓷因其卓越的高温稳定性、耐腐蚀性以及优异的力学性能，在高温结构材料、催化剂载体等领域展现出广泛的应用前景。而随着3D打印技术的发展，尤其是立体光刻（SLA）技术的应用，制造高性能铝硅土陶瓷变得更加可行。近日，安徽工程大学左如忠和马海强
全球唯一EUV光刻测试设备，如何理解Lasertec公司？
Lasertec 是一家源于日本的全球领先半导体检测设备制造商，创立于 1960 年，前身是东京 ITV 实验室，起初只是生产 X - 射线电视系统的小作坊。历经六十余载发展，成就斐然。
光刻 lasertec lasertec公司 2025-01-06 22:39 20
颠覆EUV光刻，美国研究新光源：效率大增
美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室正在研发一种拍瓦级（petawatt-class）铥激光器（thulium laser），据说其效率比 EUV 工具中使用的二氧化碳激光器高 10 倍，并且可以在未来许多年内取代光刻系统中的二氧化碳激光器。
EUV光刻，迎来挑战者
2024年9 月，佳能推出了首款商用版技术，该技术有朝一日可能会颠覆最先进的硅芯片制造工艺。这项技术被称为纳米压印光刻 (NIL) ，能够对小至 14 纳米的电路特征进行图案化，从而使逻辑芯片能够与目前量产的英特尔、AMD和Nvidia处理器相媲美。
港科大工学院创全球首款高光效深紫外显示晶元 推进无掩模光刻技术发展 半导体工业革命
香港科技大学（港科大）工学院成功研发一款全球首创的深紫外microLED显示阵列晶元，此高光效晶元可配合无掩模紫外光光刻技术，提升其光输出功率密度准确性，并以较低成本及更速效的方法推动半导体晶片生产的技术发展。
用于任意图案化声学生物组装的软光刻定义模板
声学生物组装最近被认为是一种高效的生物制造工具，可用于生成功能性组织模拟物。尽管声学生物组装技术能够直接对细胞间距离很近的活细胞进行图案化，但目前大多数声学生物组装技术仅限于生成某些特定简单类型的周期性和对称性图案，这对于模拟人体组织中几何复杂的细胞结构提出了
全球与中国电子束光刻系统（EBL）市场现状及未来发展趋势
电子束曝光系统（Electron Beam Lithography, EBL）作为一种高精度、高分辨率的图案转移技术，具有在极细微结构和复杂图案制造中的显著优势。广泛应用于半导体制造、纳米技术和微机电系统（MEMS）的制作中，具有极高的分辨率和灵活性。
Nature Photonics | 基于深紫外microLED显示的无掩膜光刻技术与应用
近期，香港科技大学Feng Feng和南方科技大学刘召军教授等携手改进UVC微LED的制备工艺，成功实现了270 nm波长的高效UVC微LED，3 μm的微LED达到了创纪录的5.7%峰值外量子效率和396 W cm⁻²的最大亮度。以上成果在Nature Ph
解散EUV团队！SK海力士和三星在光刻上分道扬镳
韩国两大半导体巨头三星电子和SK海力士在极紫外（EUV）光刻技术上采取了不同的策略，引起了业界的高度关注。这一发展正值两家公司都致力于增强其在高度动态和竞争激烈的半导体市场中的竞争力之际。
科学家打造干式剥离光刻技术，兼容纳米至晶圆级多工艺场景
图 | 段辉高（来源：段辉高）其通过力学剥离替代传统的湿法溶剂剥离工艺，实现了无需化学溶剂的图形转移，仅利用普通日用品“胶带”即可完成去胶过程。该方法从源头上消除了去胶过程中有害化学品的使用，不仅降低了化学足迹，还简化了工艺流程。该范式具有 100% 的工艺良
科学家打造干式剥离光刻技术，聚焦湿法光刻技术环境污染工艺难题
该范式具有 100% 的工艺良率，兼容多尺度结构（纳米至晶圆级）及多工艺场景，还可用于难加工衬底表面的图形转移，为绿色光刻和多功能化微纳加工提供了全新解决方案。
佳能瞄准印度半导体市场机遇，积极洽谈光刻设备合作
日本佳能公司印度总裁兼首席执行官Toshiaki Nomura近日透露，佳能看好其半导体光刻设备在印度市场的前景，正与计划在印设厂的芯片制造商展开深入洽谈。随着众多芯片企业将印度视作半导体制造的新兴热点，佳能积极布局，力求把握这一战略机遇。
光刻机研制为什么难？
光刻机作为重大技术装备领域的国之重器，不仅是衡量一个国家综合国力与科技水平的关键指标，还直接关系到国家安全和科技自主可控的未来。然而，其研制之路却异常艰难，充满了重重挑战。近期，工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，
vivo S20入手感受：极窄直屏+光刻织绣+6500mAh，综合体验出众
作为vivo主打中端旗舰市场的最新力作，vivo S20已经在12月6日正式开售，这款新机不但在外观打磨上采用了多种全新美学设计，同时在性能、屏幕、影像以及续航等方面也采用了相对出众的堆料方案，结合2299元起售的定价，展现出了强大的竞争力，因此成为了大家关注
光刻机研制为什么难
光刻机作为重大技术装备领域的国之重器，不仅是衡量一个国家综合国力与科技水平的关键指标，还直接关系到国家安全和科技自主可控的未来。然而，其研制之路却异常艰难，充满了重重挑战。近期，工业和信息化部发布的《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》中，
DNP实现适用于超2nm一代的EUV光刻光掩模精细图案分辨率
东京--(美国商业资讯)-- Dai Nippon Printing Co., Ltd. (DNP, TOKYO: 7912) 成功实现超2nm（nm：10